信息科学奖

  李志坚    电子学家。1928年5 月1日生于浙江宁波。1951 年浙江大学物理系毕业。1958 年获苏联列宁格勒大学数理科学副博士学位。1958年至今,历任清华大学讲师、教授、系副主任、系主任。1991年当选为中国科学院院士 ( 学部委员 )。

  一、早期对中国硅器件技术发展的重要贡献
 
  1958年,李志坚就提倡中国半导体发展应以硅技术为主的思想(当时国际上半导体器件的主流是锗晶体管)。1958年研制出超纯多晶硅,1960年研制出硅合金晶体管,1962-1963年又研制成功硅平面工艺和高反压(150V) 硅平面晶体管。这些工作对中国半导体器件的早期发展有重要的推动作用。
 
  二、系统、深入研究硅 MOS 界面及结构
 
  80年代在 Si/Si02 界面研究方面发表一系列论文,在国内外有相当影响。《 MOS界面研究新技术》一文被选参加中美表面科学学术讨论会( 美国科学院与中国科协主办),被特邀参加 INFOS'91(该领域国际上最著名学术会议)和聘为国际顾问委员会委员,国内被邀编写专论。以上部分成果曾获国家教委科技进步奖二等奖。对 Si/Si02 界面电子隧道穿透进行了深入研究,研制成功2kEEPROM 存贮器,获1988 年国家教委科技进步奖二等奖。事隔近10年后,1996年国家安排IC 卡研制,因 EEPROM 是其基本技术,清华大学得以在5个月内研制出全国第一块IC 卡,显示了他在技术上的远见卓识。
 
  三、发明“超大规模集成电路(VLSI)快速热处理技术和设备”
 
  80年代初即看到快速(瞬态)热处理(通常为长时期的“稳态”热处理)技术对深亚微米集成电路发展的重要意义,而后又发现当时通用的激光退火方法的局限性,从而与钱佩信一起发明了“半导体快速热处理技术和设备”,取得中、美两国专利,并获得1990年国家发明奖二等奖。该成果已在国内推广,该设备是一台国内当前唯一不要进口的 VLSI 先进工艺设备,已推向国外市场。
 
  四、硅LSI和VLSI工艺研究和集成电路开发成绩卓著
 
  “六五”到“八五”3个五年计划期间,负责多项微电子技术和集成电路国家重点攻关任务,3 次获得国家教委和电子部科技进步奖一等奖;“3 微米 LSI 成套工艺技术和集成电路研究”获 1987 年国家科技进步奖二等奖;“1-1.5微米VLSI CMOS 工艺及1兆位汉字库 ROM”获 1995 年国家科技进步奖二等奖。
 
  五、硅“系统集成技术研究”取得一批国际一流成果
 
  90 年代开始他主持国家重大基金项目“系统集成技术研究”。这是当前微电子前沿课题,他们发表的一系列论文已受到国际注视。他本人的工作,尤其在“微机械电子系统”方面有不少发明创造,包括国内首先研制成功的“带有转速自检测机能的微静电马达”等一批工作,使中国进入这一领域先进行列。他在这方面已在国内外主要刊物发表论文近30 篇,申请多项美国发明专利,获准的已有5项。
 
  六、对中国微电子人才培养方面的贡献
 
  他培养的大批优秀微电子人才中,有2名已当选为中国科学院院士。他亲自培养出的博士生,已有26 名。
 
李志坚教授的主要学术论文、著作目录
 
  1. MOS 大规模集成技术进展 .见:MOS 大规模集成技术(上册). 北京:科学出版社, 1984.
  2. 硅耗尽层少于产生率的强电场效应 .半导体学报 ,1985,6(1):1.
  3. 硅耗尽层准二维系统室温电子隧道能谱 .半导体学报 ,1985, 6(3):236.
  4. MOS 界面电荷瞬态谱方法 .半导体学报 ,1985,6(5):458.
  5. MOS 技术中的 Si-Si02 介面物理 .见:半导体器件研究与发展 .北京:科学出版社, 1988.
  6. 一种新的 MOS 电流型逻辑电路 .电子学报 ,1988,10(2),51.
  7. VLSI 成品率统计中的缺陷成因效应及统计参数与面积的关系.半导体学报 ,1988,9(3):245.( 合作者 : 张钟宣 )
  8. 一种新的有沟道注入的短沟 MOSFET 的调电压解析模型 .电子学报 ,1990,18(11): 9.( 合作者 : 陈文同 )
  9.  A novel pressure sensor structure for integrated sensor Sensots and Actuatore. 1990, (A21-23):62.(with Wang Yuelin,Liu Litian)
  10. Defect free silicon film on silion dioxide formed by some melting recrystallization with high apeed, IEEE Trane, on Electron Devices.1990,ED37:952.(with  Liu  Lianjun, Qian Peixin)
  11. 90年代的微电子技术.中国科学院院报,1991(1):23.
  12. 一种基于浮栅 NMOS 晶体管的可编程神经网络芯的设计和应用 .电子学报 ,1992,20(10):48.
  13. 滑雪崩应力下热电子注入引起的 MOSFET 退变特性研究 .半导体学报 ,1993,14,12:723.( 合作者 : 程玉华、要瑞伟 )
  14. The on-ehip detection of micromotor rotational speed.Sensors and Actuators,1995,A48:81.(with Sun Xiqing,Liu Litian)
  15.  一种对称高分辨精度的多端电流 MAX 门和 MIN 门电路.半导体学报 ,1995,16,6:453.( 合作者 : 李斌桥、石秉学 )
  16. New methods for measuring mechanical properties of thin films in micro-machining, beam pull-in voltage (VPI)method and long beam deflection (LBD)method.Sensors and Actuators,1995,A48:137.(with Li Binqiao,shi Bingxue)
  17. BMHMT----Bi-MOS 混合模式晶体管 .电子学报 ,1995,23,11:11.( 合作者 : 陈萍、刘理天 )
  18. 一种模拟集成电路 Hamming 神经网络及其应用 .半导体学报 ,1996,17(3):217.( 合作者 : 李斌桥、石秉学 )
  19. Design and fabrication of single wafer silicon condensor microphone using corrugated     diaphragm.IEEE J.of MEMS,1996:5(3).(with Zou Quanbo,Liu Litian)